مطالعه مدهای محبوس در کاواک نانوباریکه بلور فوتونی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه
- author عاطفه محسنی فرد
- adviser احمد رضا دارائی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1392
abstract
ساختارهای بلور فوتونیکی، برپایه آرایش تناوبی ثابت دی الکتریک، عبور و یا بازتاب نور را در یک بازه فرکانسی قابل تنظیم، کنترل می کنند. با ایجاد نقص در آرایه های دورهای، ویژگیهای اساسی شبکه بلور فوتونیکی نظیر محبوسسازی قوی نور، بهطور قابل توجهی تغییر میکنند. یک میکرو- نانوکاواک در یک ساختار بلور فوتونیکی یک، دو و سه بعدی، با حذف یک یا تعدادی حفره-هوا از شبکه تناوبی، یا با تغییر اندازه تعدادی از حفرهها و یا با تغییر شکل هندسی ساختار و روش های دیگر بهوجود میآید. در این پایاننامه، به بررسی مدهای محبوس در کاواک نانوباریکه بلور فوتونی، متشکل از آرایه حفره های هوای ایجاد شده در تیغه دی الکتریک کم پهنا، پرداخته شده است. طراحی ساختارها، شامل حفرههای-هوای باریکشونده نیز بوده، که تضمین کننده فاکتور کیفیت بزرگ و حجم مدی کوچکی هستند. مقادیر بهینه فاکتور کیفیت، با ترکیب سری حفرههای باریکشده (taper) مجاور نانوکاواک بهعلاوه حفرههای باریکشده دور از نانوکاواک، با طراحی دقیق قطر حفرهها و جابهجایی حفرههای غیردورهای، در بخش باریکشونده بهدست آمده است. شبیه سازی و محاسبات در این پایاننامه، با استفاده از نرم افزارهای4.3a comsol multiphysics و با روش المان محدود (fem) و rsoft photonics cad suite انجام پذیرفته و آنالیز آنها نیز توسط نرم افزار origin صورت گرفته است. در راستای اهداف تحقیق، طولموج، فاکتور کیفیت و توزیع شدت مد محبوس در کاواک نانوباریکه بلورفوتونی متشکل از چهار حفره-هوای باریکشده (taper) در طرفین کاواک سهموی، و آرایه نه تایی حفره-هوا در آینه ها، مورد بررسی قرار گرفته است. طولموج مدهای مورد بررسی جهت تولید و تقویت در نانوکاواک، با تغییر پارامترهای هندسی مختلف ساختار کاواک نانوباریکه بلور فوتونی، انتخاب شدند. تغییرات ثابت شبکه و تعداد حفرههای آینهای در نانوباریکه، تقویت فاکتورکیفیت مد را در پی داشت. وجود حفره های باریک شده، مدی با کیفیت حدود 10400 را ایجاد نمود که این مورد به ازای کاهش 25 نانومتری مکان 4 حفره باریکشده طرفین نانوکاواک میسر گردید. نتایج نشان دادند که باریک شدگی دیواره سهموی کاواک، در افزایش فاکتور کیفیت از طریق تمرکز بیشتر شدت مد در میانه کاواک و در نتیجه در کاهش حجم مدی و پراکندگی، موثر واقع می گردد. حضور مدهای ویسپرینگ گالری با طراحی نانوباریکه های متقاطع، مورد پژوهش قرار گرفت.
similar resources
بررسی مدهای عبوری در بلور فوتونی دو لایهای بینظم
در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی دولایهای بینظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بینظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده میشود که با افزایش مرتبه بینظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بینظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...
full textمدهای فونونی نوری در بلور BaWO4
با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO4 بهدست آمدهاند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن بهدست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطهای C4h، مدهای فونونی برحسب گونههای تقارنی ...
full textاسپلیتر بلور فوتونی مبتنی برموجبر
یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میلههای سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده است. میلهها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میلههای سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر میتواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...
full textمدهای فونونی نوری در بلور bawo۴
با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور bawo4 به دست آمده اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه ای c4h، مدهای فونونی برحسب گونه های تقارنی ...
full textتزویج مدهای سطحی در بلور فوتونی دو بعدی
بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...
15 صفحه اولتنظیم پذیری مدهای موجبری در بلور فوتونی دو بعدی
. بلور مایع جزو مواد ناهمسانگرد بوده که ثابت دی الکتریک آن بصورت تانسوری می باشد و تحت تاثیر عوامل خارجی مانند میدان الکتریکی تغییر می کند. در این پایان نامه به منظور تنظیم پذیری الکتریکی مدهای موجبری، از بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه های مربعی و مثلثی ساخته شده از حفره های هوا در زمینه آلومینا استفاده شده است که یک ردیف از حفره های هوا توسط بلور مایع نماتیک پر شده اند. مشخصه عمومی بلور مایع ن...
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023